株式会社アムテックス

極低温SiGe（シリコンゲルマニウム）ローノイズアンプ

小型化、マルチチャンネル、シールド付きSMAコネクター

標準シャーシのサイズは、コネクターを除いて27.1×15.9×8.7mmです。
バイアスTコネクターなし：21.3×10.4×8.5mm、バイアスTコネクターあり：23.0×13.2×8.5mmの新開発の小型バージョンもご用意しています。

CMTは25.3×32.2×8.3mmのサイズで、4つの独立したアンプを1つのパッケージに収めたクワッドアンプバージョンも製造しており、デュアルアンプ構成で、すべてのDC接続、アンプ電源、入力DCバイアスT字管にシールド付きSMAコネクターを組み込んだシャーシを採用しています。

CMT-BA1

CMT-BA1は、電波天文学や低周波物理学の用途に最適な極低温SiGeローノイズアンプです。
CMT-BA1は、Cosmic Microwave Technology社のLF1アンプのアップグレード版です。
このアンプは、0.005～1.5GHzの周波数範囲をカバーします。
標準的な雑音温度は、5～500MHzで2.0K未満、1.5GHzまでで4.7K未満です。
アンプのゲインは標準で32dB、ゲイン平坦度は±1dBです。

直流電源は単一の直流電源から供給されます。
最適な性能は、供給電圧2.0Vで得られます。
この電圧での供給電流は13mAです。
低電力用途では、供給電圧を1.5V、6.5mAまで下げることができます。

CMT-BA1S（単段式）（Single Stage）

CMTBA1Sは、ローゲインと低消費電力が求められる極低温環境下での超ローノイズ用途向けに設計された、単段SiGeローノイズアンプです。
このアンプは、抵抗フィードバックを用いて良好な入力整合（S11）と高いゲイン安定性を実現しています。
標準的な入力リターンロスは-20dBです。
0.005GHz～1.0GHzの周波数範囲で最適な性能を発揮し、3GHzまでの周波数帯域で優れたノイズ性能を示します。

電源は単一の正の直流電源で、最適電圧は3.0Vです。

このアンプは、抵抗バイアスTを内蔵した小型構成と、内蔵していない小型構成の2種類が用意されています。

CMT-BA0.5（超低周波）（Ultra Low Frequency）

CMT-BA0.5は、電波天文学や低周波物理学の用途に最適な極低温SiGeローノイズアンプです。
CMT-BA0.5は低周波用途に最適化されています。
このアンプは、500kHzから500MHzまでの周波数範囲をカバーします。
2.0GHzまで許容可能な性能を発揮します。
標準的な雑音温度は、500kHzから500MHzまでは2.5K未満、2GHzまでは5K未満です。
増幅器のゲインは標準で30dB、ゲイン平坦度は±1dBです。 直流電源は単一の直流電源から供給されます。
最適な性能は、供給電圧2.0Vで得られます。
この電圧での供給電流は13mAです。
低電力用途では、供給電圧を1.5V、6.5mAまで下げることができます。

CITLF2

CITLF2は、極低温環境下での極めて低いノイズを実現するSiGeローノイズアンプです。
このアンプは、抵抗フィードバックを用いることで、良好な入力整合（S11）と高いゲイン安定性を実現しています。
0.01GHz～1.5GHzの周波数範囲で最適な性能を発揮し、5GHzまで高ゲインかつローノイズを実現します。

単一の正の直流電源で駆動され、最適電圧は2.0Vですが、消費電力を抑えるために1.1Vまで下げることも可能です。
最大5Vの電圧を印加してもアンプが損傷することはありません。
アンプへの電源供給は、電流制限を100mAに設定することをお勧めします。

CITLF3

CITLF3は、電波天文学および量子物理学用途向けに設計されたシリコンゲルマニウム（SiGe）極低温ローノイズアンプです。
このアンプは、12K以下に冷却した場合、0.01GHzから4GHzの周波数範囲で平均雑音温度4K（0.06dB）を実現します。
最小雑音温度は100MHzで2.5Kです。標準的なゲインは33dBで、入出力反射損失は-10dB未満です。
このアンプは無条件に安定しています。
0.01GHzから4GHzの周波数範囲で最適ですが、3MHzから5GHzの範囲でも使用可能です。

単一の正の直流電源で駆動され、2.0Vで最適動作します。
このバイアス電圧での消費電力は27mWです。
しかし、5mWという低い消費電力でも良好な雑音温度が得られます。
この低消費電力は、4Kで動作するマルチアンプアレイに最適です。